Das várias especificações técnicas de smartphones e tablets que melhoram com o tempo, a memória RAM parece uma das mais “estáveis”. Você vê aparelhos com capacidade entre 512 MB e 3 GB, mas nenhum parece que vai disparar nesse valor — pelo menos até agora. Isso porque o mercado começa a ver com bons olhos uma tecnologia que antes parecia que não sairia dos laboratórios, mas agora está cada vez mais perto de ganhar o coração das fabricantes.

Trata-se da Resistive Random-access Memory (RRAM), uma tecnologia desenvolvida pelos pesquisadores da Rice University. Ela já é trabalhada há anos e tem como carta na manga o uso do óxido de silício, um material que também pode otimizar telas e baterias.

De acordo com o mais recente artigo desses cientistas, a tal RRAM é superior às concorrentes em praticamente todos os quesitos. O segredo está na inserção de um material dielétrico (que não conduz eletricidade normalmente) poroso em vez de metal entre dois cabos — no caso, o óxido de silício, que é abundante na Terra e bastante usado e estudado. Quando uma voltagem alta o suficiente é aplicada nessa corrente, um caminho estreito de condução é formado. É ele que permite a escrita, o sumico e a reescrita de dados nesse tipo de memória.

Com informações do tecmundo